MOSFET的静电容量：功率MOSFET在构造上，如图1存在寄生容量。功率MOSFET在构造上，如图1存在寄生容量 MOSFET的G (栅极) 端子和其他的电极间由氧化膜绝缘，DS (漏极、源极) 间形成PN接合，成为内置二极管构造。Cgs, Cgd容量根据氧化...

在对整流二极管进行电路设计时，选择性能参数合适的整流二极管是非常重要的，以实际设计电路为例子。由图可知，交流输入端为：220V/50HZ，要求整流输出的直流电压为UO=60V，负载电流为IO=500mA；下面是两种计算方式：1.计算流过整流二极管的直流电流由于采...

晶体管分类图：按照该分类，掌握其种类;1. 按结构分类:根据工作原理不同分类，分为双极晶体管和单极晶体管。晶体管分类图：按照该分类，掌握其种类,1. 按结构分类:根据工作原理不同分类，分为双极晶体管和单极晶体管。双极晶体管:双是指Bi（2个）、极是指divola...

一个PN结加上电引线封装起来就构成了二极管。下面就简要介绍一下PN节的构成以及其工作原理。PN结名思义就是由p型半导体和n型半导体组成的半导体交接界面。对于p型半导体，由于在四价元素构成的半导体当中掺杂了三价元素，比如在硅中掺杂硼。三价元素的原子可以接受电子变成...

关于晶体管ON时的逆向电流：在NPN晶体管中，基极 (B) 被偏置为正，集电极 (C) 被偏置为负，由发射极 (E) 流向C的是逆电流。1. 不用担心劣化和损坏，在使用上是没有问题的。2. NPN-Tr的B和C对称、和E极同样是N型。也就是说，逆接C、E也同样有...

①使TR达到饱和的IC/IB的比率是IC/IB=20/1;②输入电阻：R1是±30% E-B间的电阻：R2/R1=±20%;③VBE是0.55~0.75V;数字晶体管具有下面的关系式。数字晶体管直流电流增益率的关系式